ÉCOLE SUPÉRIEURE D’INGÉNIEURS EN ÉLECTRONIQUE ET ÉLECTROTECHNIQUE
MARNE-LA-VALÉE
FRANCE, 1982-1987
ÉDUCATION
PR–462
Située entre les premiers et deuxièmes secteurs de la ville nouvelle de Marne-la-Vallée, la cité Descartes a été voulue et pensée comme un pôle technologique prestigieux. Accueillant des organismes publics et des entreprises privées de renom, elle met à leur disposition une espace verdoyant, riche de traces et de boisements denses.
PROGRAMME
Le bâtiment de l’ESIEE regroupe les principales entités fonctionnelles de l’établissement, bibliothèque, amphithéâtres et espace de restauration, organisées de manière longitudinale le long d’une rue intérieure. Cette galerie centrale, d’une hauteur libre d’environ 10 mètres, constitue l’élément structurant du projet. Elle assure le fonctionnement des circulations internes, tout en assumant un rôle d’espace collectif à vocation publique.
Situation
Cité Descartes, Noisy-le-Grand, Marne-la-Vallée, France
Année
1984–1987
Statut
Concours international, projet lauréat
Surface du site
40 000 m²
Surface construite
25 000 m²
Maîtrise d’ouvrage
Chambre de Commerce et d’Industrie de Paris
Maîtrise d’œuvre
Dominique Perrault, architecte, urbaniste
Bureaux d’études
B.E.F.S. SA, Planitec
DESCRIPTION
Dès lors, l’architecture doit non seulement conformer les espaces, mais aussi doter chaque preneur d’une image de marque spécifique. L’ESIEE occupe une position-clé dans le plan de la cité. A l’extrémité du grand espace public triangulaire, le bâtiment figure un nouvel horizon, un fond sans fin. Traité comme un vaste plan incliné sur ses trois cents mètres de long, il offre une métaphore de l’envol. Au lieu de caractériser la rue par une façade verticale, il escamote la frontalité. La forme de l’ESIEE est l’expression de son essence et de sa destination, il participe à ce mouvement de conquête des territoires qui se sont intensifiés à l’est de Paris.
EN SAVOIR PLUS
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